DDR2-1A CANON 模块

　　DDR2-1A CANON 模块

　　型号：DDR2-1A

　　品牌：CANON

　　DDR2引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。

　　OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整。

　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。

　　PostCAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。

　　产品描述

　　DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍以上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

　　由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋

　　出于兼容性的考虑，DDR2标准在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步。新一代的DDR3采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的立性，甚至敢于抛弃TSOPⅡ与mBGA封装形式，采用更为的FBGA封装。DDR3内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。

　　从长远趋势来看，拥有单芯片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的。

　　DDR3正逐步加速取代DDR2，DDR3已成为装机的主流和标配。