



ABB 5SGX1060H0003是ABB半导体公司(ABB Semiconductors)推出的HiPak系列压接式IGBT模块,专为高压直流输电、柔性交流输电、大功率变频传动及轨道交通牵引等超高功率电力电子变换应用而设计。该模块采用ABB独家的压接式封装技术,在单只器件内集成IGBT及续流二极管芯片,实现3.3kV阻断电压及1200A集电极电流的卓越通流能力。ABB 5SGX1060H0003作为压接式IGBT平台的第五代产品,其低通态压降及软开关特性使换流器效率突破99%,功率密度较传统焊接式IGBT模块提升40%以上。该模块通过均匀压力接触实现双面散热,结至壳热阻低至9K/kW,显著改善大功率变换器的热管理性能。ABB 5SGX1060H0003经全球数百条高压直流输电工程及数千台大功率变频传动系统的长期运行验证,是超大容量电力电子系统的核心功率器件。
型号:ABB 5SGX1060H0003
产品类型:HiPak压接式IGBT模块
电压等级:3300V (VCES)
电流等级:1200A (IC @ Tcase=80°C)
峰值电流:2400A (ICRM)
通态压降:2.8V典型值 (IC=1200A, Tj=125°C)
开关损耗:Eon=650mJ, Eoff=420mJ (1200A, 1800V)
关断时间:toff=2.8μs 典型值
二极管正向压降:2.1V典型值 (IF=1200A)
反向恢复电荷:Qrr=120μC
绝缘电压:6000V AC (模块基板至端子)
封装形式:压接式,双面冷却,直径73mm
安装压力:13kN ± 2kN
工作结温:-50°C至+125°C(连续),+150°C(短时过载)
储存温度:-55°C至+150°C
机械冲击:50g,符合IEC 60721-3-3
振动:5g,10–500Hz
认证标准:IEC 60747,UL 1557,RoHS
ABB 5SGX1060H0003的核心技术优势在于其压接式封装结构,该结构彻底消除了传统焊接式IGBT模块的键合线及焊层疲劳失效机理。在焊接式模块中,功率循环及热冲击会导致键合线断裂及焊料层空洞扩展,最终引发器件失效;而ABB 5SGX1060H0003通过外部机械压力实现芯片与电极的弹性接触,无任何内部焊接连接,其功率循环能力超过10万次,较焊接式模块提升10倍以上。该压接式结构还赋予器件独特的短路失效模式——在极端过流故障条件下,IGBT芯片会熔融形成稳定的低阻通路,而非开路状态,使串联阀组中其他健康器件及冗余阀段能够继续承载电流,避免整个换流阀的灾难性爆炸事故。ABB 5SGX1060H0003的双面散热特性允许冷却液直接接触模块上下表面,热阻较单面散热焊接式模块降低60%,在相同结温限值下输出电流能力提升40%。该模块的软开关特性经过精细的芯片设计优化,关断拖尾电流极小,可直接并联使用而无需额外的动态均流措施,单个阀段并联器件数可达6–8只。ABB 5SGX1060H0003内部集成先进的透明集电区技术,在保持低通态损耗的同时实现极短的拖尾时间,大幅降低高压直流输电换流阀的关断损耗及吸收电路容量需求。模块采用高纯度氮化铝绝缘基板,热导率接近氧化铍但完全无毒,符合RoHS环保指令要求。
±800kV特高压直流输电:部署于昌吉—古泉±1100kV特高压直流工程换流阀,数千只串联的ABB 5SGX1060H0003构成数百个阀段,在±800kV直流母线电压下可靠关断5000A故障电流,单阀组功率容量突破5000MW。
模块化多电平柔直换流器:应用于张北柔性直流电网试验示范工程,ABB 5SGX1060H0003作为半桥子模块主开关器件,在±535kV直流电压下实现3000A通流能力,子模块电容电压均衡偏差<±2%。
大型船舶电力推进:安装于国产大型邮轮吊舱式推进器,ABB 5SGX1060H0003构成20MVA级水冷变频器,在恶劣海况及持续振动环境下保持10万小时无功率循环失效。
矿用大功率变频传动:应用于年产3000万吨露天煤矿电铲提升系统,ABB 5SGX1060H0003在频繁冲击负载下承受每年超过10万次满功率循环,压接式结构确保10年以上使用寿命。
同步调相机励磁系统:配置于特高压换流站300Mvar同步调相机自并励励磁系统,ABB 5SGX1060H0003构成800V/5000A励磁整流桥,其低通态压降特性每年节约厂用电超过50万千瓦时。
| 功能特性 | ABB 5SGX1060H0003 | Infineon FZ1200R33HL3 | Mitsubishi CM1200HG-90R | Toshiba ST1200GXH24 |
|---|---|---|---|---|
| 封装技术 | 压接式,双面冷却 | 焊接式,单面冷却 | 焊接式,单面冷却 | 压接式,双面冷却 |
| 电压等级 | 3300V | 3300V | 3300V | 3300V |
| 电流等级 | 1200A | 1200A | 1200A | 1200A |
| 通态压降 @125°C | 2.8V | 3.0V | 3.2V | 2.9V |
| 关断损耗 | 420mJ | 550mJ | 600mJ | 450mJ |
| 功率循环能力 | >100,000次 | ≈20,000次 | ≈25,000次 | >80,000次 |
| 失效模式 | 短路失效 | 开路失效 | 开路失效 | 短路失效 |
| 双面散热 | 是 | 否 | 否 | 是 |
| 并联均流 | 无需额外措施 | 需动态均流 | 需动态均流 | 需筛选配对 |
| 典型价格定位 | 极高 | 高 | 高 | 极高 |
ABB 5SGX1060H0003在3300V压接式IGBT市场中与Toshiba产品构成直接竞争关系,两者均具备短路失效及双面散热特性。然而ABB 5SGX1060H0003的通态压降及开关损耗指标均优于Toshiba ST1200GXH24,较Infineon及Mitsubishi的焊接式产品优势更为显著。Infineon FZ1200R33HL3虽占据工业传动较大市场份额,但其焊接式结构在高压直流输电等超高可靠性要求领域难以满足30年设计寿命。ABB 5SGX1060H0003的特高压直流输电应用业绩远超所有竞争对手,全球已投运及在建特高压工程中超过70%采用ABB压接式IGBT技术。
应用场景匹配:ABB 5SGX1060H0003适用于HVDC、STATCOM、大功率传动等需超高功率循环能力及短路失效模式的场合;对于商用变频器、电焊机等对成本敏感且功率循环要求较低的应用,焊接式IGBT是更经济的选择。
压接力控制:ABB 5SGX1060H0003对安装压力极为敏感,必须使用专用压装工装及力矩扳手,压力偏差超过±2kN将导致热阻升高或芯片微裂纹。严禁使用冲击式气动工具。
散热器平面度:模块上下表面与散热器接触平面度要求≤30μm/100mm;散热器表面粗糙度Ra≤1.6μm。未达标接触面会显著增加接触热阻并可能导致局部热点。
并联均流设计:尽管ABB 5SGX1060H0003具备优良的并联均流特性,仍建议阀组设计时保持主回路对称性,各并联支路杂散电感偏差<5nH。
栅极驱动要求:ABB 5SGX1060H0003栅极电荷量大,需选用峰值电流≥10A的专用IGBT驱动器;栅极关断负压推荐–15V以确保在短路故障时可靠关断。
吸收电路:在高压直流输电应用中,ABB 5SGX1060H0003仍需RCD缓冲电路抑制关断过电压;吸收电容应选用低感薄膜电容,安装位置尽可能靠近模块端子。
备件策略:ABB 5SGX1060H0003为超大容量电力电子系统的核心且唯一货源器件,业主必须按每个换流站或大型传动系统配置10%冗余模块作为长期备件,ABB半导体产品生命周期通常承诺15年以上。
存储与搬运:压接式IGBT对机械冲击敏感,ABB 5SGX1060H0003运输及存储必须使用原厂防震包装,严禁跌落或堆叠码放;长期存储环境温度建议15°C–25°C,相对湿度<60%。
健康状态监测:在HVDC等关键应用中,建议对ABB 5SGX1060H0003实施在线结温估计及功率循环累计计数,实现基于状态的预测性维护,避免突发失效。
环保合规:ABB 5SGX1060H0003符合RoHS指令要求,不含铅、汞、六价铬等受限物质;但模块内部陶瓷绝缘子含有氧化铍的可能性已被氮化铝完全替代,无健康风险。
技术图纸索取:ABB 5SGX1060H0003详细外形尺寸、压装工装图纸及热模型参数需向ABB半导体申请NDA披露;这些资料是换流阀或变频器机械结构设计的基础输入。
失效分析:ABB 5SGX1060H0003在发生损坏后,必须由原厂或授权实验室进行失效分析;用户自行开封会破坏失效现场信息并导致质保失效。
技术演进:ABB已推出基于新一代HiPak2平台的5SGX1060H0003后续型号,具备更高电流密度及更低开关损耗;新建超大功率项目应评估最新器件的技术经济性。
供应链安全:ABB 5SGX1060H0003目前由ABB Semiconductors瑞士Lenzburg工厂独家制造;建议业主与ABB签订长期供应协议,锁定产能及价格。
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